Aplikace CMP

Metoda CMP kombinuje chemické a mechanické zpracování. Výsledkem je hladký a rovný povrch waferu. Metoda CMP je určitou kombinací leptání a mechanického broušení. CMP je důležité zejména u waferů, které sestávají z mnoha různých vrstev. Při aplikaci dalších vrstev je totiž povrch více a více nestabilní a s pomocí metody CMP lze odstranit mikroskopické nerovnosti až do úrovně 0,3 nm. Takto bezchybný povrch později výrazně usnadňuje tisk integrovaných obvodů v následném litografickém procesu.